1.1.4 X射线光刻技术

X射线光刻技术（X-Ray Lithography，XRL）是20世纪80年代发展非常迅速的技术之一，欧洲、美国、日本和中国等拥有同步辐射装置的国家相继开展了有关研究。主要分支是传统靶极X光、激光诱发等离子X光和同步辐射X光光刻技术。特别是同步辐射X光作为光源的X光刻技术，光源具有功率高、亮度高、光斑小、准直性良好，通过光学系统的光束偏振性小、聚焦深度大、穿透能力强。X射线光刻采用波长小于1nm的X射线，是一种接近式光刻。X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点，其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等。就光刻工艺性能而言，XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。当光刻分辨率达到50nm以下时，采用的同步辐射X射线波长范围应该为0.2～0.4nm[13][14]。XRL发展的主要困难是系统体积庞大，系统价格昂贵和运行成本居高不下等；主要技术难题是掩模制造技术，即获得具有良好机械物理特性的掩模衬底，近年来掩模技术研究取得较大进展。目前，SiC被认为是最合适的衬底材料。